收藏本站
New Product
SiRA04DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
T J = 150 ° C
0.015
0.012
I D = 15 A
1
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.009
0.006
0.003
0.000
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2 4 6 8
10
0.4
0.2
V S D - S ource-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0
120
- 0.2
- 0.4
I D = 5 mA
80
- 0.6
- 0.8
I D = 250 μA
40
0
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
100
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
I D Limited
Limited by R D S (on) *
1 ms
10 ms
1
100 ms
1s
0.1
0.01
T A = 25 °C
S ingle Pulse
BVD SS Limited
10 s
DC
0.01
0.1 1 10 100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) is specified
Safe Operating Area
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63725
S12-2118-Rev. B, 03-Sep-12
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIRA10DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A SO-8
SIS412DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
SIS426DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8
SIS436DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8
SIS452DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK
SIS456DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
SIS468DN-T1-GE3 MOSF N CH 80V 30A 1212-8 PWR PK
SIS892ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212
相关代理商/技术参数
SIRA06DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA06DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 2.5mOhm@10V 40A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIRA10DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA10DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIRA12DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA12DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIRA14DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIRA14DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube